東京　ベルサール八重洲 2階

NAND型フラッシュメモリは(株)東芝で1987年発明された日本発祥の半導体デバイスである。素子の微細化により大容量化と低コスト化を実現してきたが、微細化に伴うデバイス特性の劣化により2次元から3次元に構造転換し、現在は3次元構造での積層数増加により大容量化が進められている。この結果、スマートフォン、パソコン等の民生品からデータセンターのストレージとして幅広く使われている。また、3次元NANDの製造工程では、プラズマを用いて絶縁膜から構成される積層膜を加工する必要がある。しかしながら、積層数増加に伴いアスペクト比が増加するため、その加工難易度が非常に高くなっている。今研究会では3次元NANDに必要な高アスペクトドライエッチング技術に関する最新の技術動向について議論する。